IPB009N03LGATMA1

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Description: N-CH 30V 180A 1mOhm TO263-3 Hersteller: INFINEON Matchcode: IPB009N03L G Rutronik No.: TMOSP8652 VPE: 1000 MOQ: 1000 Package: D2PAK Verpackung: REEL

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Parameter

Configuration: N-CH
V(DS): 30 V
I(D)at Tc=25°C: 180 A
RDS(on)at 10V: 0.95 mOhm
Q(g): 227 nC
P(tot): 250 W
R(thJC): 0.6 K/W
Logic level: YES
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS
Fast bodydiode: NO
Automotive: NO
Gehäuse: D2PAK
RoHS Status: RoHS-conform
Verpackung: REEL

Hersteller Artikel: SP000394657
ECCN: EAR99
Zolltarifnummer: 85412900000
Land: Malaysia
ABC-Schlüssel: A
Lieferzeit beim Hersteller: 67 Wochen

Beschreibung

With the new OptiMOS™3 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. Lowest on-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™3 30V the best choice for the demanding requirements of battery management, OR-ing, e-fuse and hot-swap application.

Summary of Features

Lowest on-state resistance
High DC and pulsed current capability
Easy to design-in

Benefits

Increased battery lifetime and system efficiency
Saving space (reducing the number of devices needed)
Saving costs

Target Applications

Or-ing in power supply
Hot-swap
e-fuse
Battery management

Menge

Bestand

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Abgekündigtes Bauteil

Letzte Bestellmöglichkeit beim Hersteller: 30.09.2022

Stückpreis

2,07 $

Gesamtwert

2.070,00 $

Preise

1.000	2,07 $
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