STB120N4LF6
Abbildung kann vom Original abweichen
Hersteller: STMicroelectronics
Matchcode: STB120N4LF6
Rutronik No.: TMOS2052
VPE: 1000
MOQ: 1000
Package: D2PAK
Verpackung: REEL
N-CH 40V 80A 4mOhm TO263 Beschreibung
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Parameter
- Anordnung/ Gestaltung
- N-CH
- V(DS)
- 40 V
- I(D)at Tc=25°C
- 80 A
- RDS(on) bei 10V
- 4 mOhm
- Gehäuse
- D2PAK
- Q(g)
- 80 nC
- P(tot)
- 110 W
- R(thJC)
- 1.36 K/W
- logischer Zustand
- NO
- Automotive
- AEC-Q(100)
- Technologie
- STripFET 6
- Befestigung
- SMD
- Fast bodydiode
- NO
- Bleifrei Definition
- 10
- Verpackung
- REEL
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- China
- Lieferzeit beim Hersteller
- 16 Wochen
