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SCTW100N65G2AG

ST

SiC-N 650V 20mOhm 100A HiP247
Hersteller: STMicroelectronics
Matchcode: SCTW100N65G2AG
Rutronik No.: TMOS1462
VPE: 1
MOQ: 1
Package: HiP247
Verpackung: TUBE
Auf Anfrage
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Parameter

Anordnung/ Gestaltung
N-CH
V(DS)
650 V
I(D)at Tc=25°C
100 A
Gehäuse
HiP247
Q(g)
215 nC
P(tot)
390 W
R(thJC)
0.45 K/W
logischer Zustand
NO
Automotive
AEC-Q(100)
Technologie
SiC-N
Befestigung
THT
Fast bodydiode
NO
Bleifrei Definition
RoHS-conform
Verpackung
TUBE
ECCN
EAR99
Zolltarifnummer
85412900000
Land
China
Lieferzeit beim Hersteller
42 Wochen
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