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SCT30N120

ST

SiC-N 1200V 45A 80mOhm HiP247-3
Hersteller: STMicroelectronics
Matchcode: SCT30N120
Rutronik No.: TMOSP11114
VPE: 30
MOQ: 600
Package: HiP247
Verpackung: TUBE
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SiC-N 1200V 45A 80mOhm HiP247-3 Beschreibung

Silicon carbide Power MOSFET 45 A, 1200 V, 80 mΩ, N-channel in HiP247 package

Parameter

Anordnung/ Gestaltung
N-CH
V(DS)
1200 V
I(D)at Tc=25°C
45 A
RDS(on) bei 10V
80 mOhm
Gehäuse
HiP247
Q(g)
105 nC
P(tot)
270 W
R(thJC)
0.65 K/W
logischer Zustand
NO
Automotive
NO
Technologie
SiC
Befestigung
THT
Fast bodydiode
NO
Bleifrei Definition
RoHS-conform
Verpackung
TUBE
ECCN
EAR99
Zolltarifnummer
85412900000
Land
ABC-Schlüssel
C
Lieferzeit beim Hersteller
130 Wochen
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